东芯股份是一家聚焦中小容量存储芯片独立研发、设计与销售的存储芯片设计企业，公司以“提供可靠高效的存储产品及设计方案”为使命，以“成为中国领先的存储芯片设计企业”为愿景，致力于用独立自主的知识产权、稳定的供应链体系和高可靠性的产品为客户提供高品质的存储产品及解决方案。公司以存储为核心，同时向“存、算、联”一体化领域进行技术探索，拓展行业应用领域，优化业务布局，以期为客户提供更多样化的芯片解决方案。

　　公司所处的存储芯片行业在半导体市场中标准化程度更高，其周期性波动更明显，行业景气度受供需关系的影响较为显著。2023年，受全球经济环境和半导体行业周期等多方面因素的影响，公司仍然面临着需求回暖缓慢的严峻考验。受市场环境影响，公司下游客户需求下降明显，同时行业竞争激烈，部分产品销售价格明显下降。2023年度，公司实现营业收入5.31亿元，较上年度同比下降53.70%；实现归属于上市公司股东的净利润为-3.06亿元，较上年度同比下降265.13%；实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为-3.27亿元，较上年度同比下降298.13%。截止2023年12月31日；归属于上市公司股东的净资产35.05亿元，较上年度同比下降10.83%。

　　报告期内，公司基于2xnm制程，持续进行SLCNANDFash产品系列的研发，不断扩充产品线，新产品陆续进入研发设计、首次晶圆制备、晶圆测试、样品送样等关键阶段。公司积极推进先进制程的1xnmSLCNANDFash产品的研发及产业化进程，报告期内已完成晶圆制造和功能性验证，目前正处于晶圆测试及工艺调整阶段，以进一步提升产品可靠性水平。

　　公司基于48nm、55nm制程，持续进行中高容量的NORFash产品研发工作，根据不同容量的目标客户群进行精确定位，保证性能、功耗和性价比的合理匹配。目前公司可以提供符合客户的最高至1Gb容量的NORFash产品。随着公司NORFash产品持续迭代升级，产品品类不断丰富，将为可穿戴设备、安防监控、物联网、汽车电子等领域的客户提供多样化、高可靠性的产品选择。

　　公司在目前已有的DDR3(L)、LPDDR1、LPDDR2产品基础上,持续推进新产品的研发工作。公司设计研发的LPDDR4x在完成可靠性验证后，将积极进行客户送样及市场推广；设计研发的PSRAM已向客户进行销售。公司将继续在DRAM领域进行新产品的研发设计，助力公司产品多样性发展。

　　公司目前已可以向客户提供高至8Gb+8Gb、16Gb+16Gb的MCP产品，主要应用于车载模块等应用领域。公司将继续开发更高容量组合的MCP产品，以便为客户提供更多样化的产品选择。

　　车规产品研发进度方面，公司SLCNANDFash、NORFash以及MCP均有产品通过AEC-Q100测试，将适用于要求更为严苛的车规级应用环境。公司正在积极进行客户端的产品导入工作。公司已有产品向境外知名的一级汽车供应商（Tier1）销售。

　　公司高度重视知识产权的自主性与完整性，在不断开发新技术、新产品的同时，通过多种途径对相关的知识产权进行保护。报告期内，公司新增申请发明专利23项、新增授权发明专利14项、获得软件著作权1项、获得集成电路布图设计权13项。截至报告期末，公司拥有境内外有效专利84项、软件著作权14项、集成电路布图设计权81项、注册商标14项。公司专利涉及NANDFash、NORFash、DRAM等存储芯片的设计核心环节。

　　公司持续加大研发投入力度，报告期内，公司研发费用1.82亿元，占当期营业收入34.34%，较上年同比增长24.71个百分点。

　　公司作为Fabess设计公司，注重建立稳定可靠的供应链体系，与国内外多家知名晶圆代工厂、封测厂建立互助、互利、互信的合作关系，打造了具有“本土深度、全球广度”的供应链体系。报告期内，公司保持了与上游合作伙伴的稳定合作，共同应对市场需求波动带来的巨大挑战。公司与晶圆厂进行深度战略合作交流，双方在工艺调试设计、产品开发、晶圆测试优化等全流程各环节形成了良好的沟通与合作，通过签署战略合作协议等方式加深上下游合作、为公司业务发展提供产能的保障。公司与紫光宏茂、华润安盛、南茂科技、ATSemicon等国内外知名封测厂建立稳定的合作关系，建立健全的全球化供应链以满足不同客户的需求。

　　公司秉持着“品质”、“竞争力”、“客户满意”、“持续改进”的质量方针不断优化服务流程和运营系统，持续提升相应的产品质量与服务质量管理体系，能够为全球客户第一时间提供高效的服务支持。公司设有专人管理质量体系，生产质量，测试质量，产品仓储运输等生产相关环节。针对关键工艺细节管控及关键原材料把关，公司将在充实相关部门人力资源的同时，持续加强与代工厂及客户的深入合作，整合各方资源，优化整体制造供应环境，从而不断提升产品生产制造品质。

　　2023年度，公司不断优化内部质量系统化建设。公司完成了内部文控中心的全方位的系统升级，为公司内部的系统化质量管理保驾护航。公司开展了ISO22301标准的建设及实操，以质量为本，为公司整体业务可持续发展打下了坚实的基础。公司持续推进公司及供应链的车规质量体系的建立，持续加强产品可靠性及生产制程的监控力度。

　　公司建立了优秀的客户服务团队，并制定了客户技术支持的服务规范、客户投诉的处理流程、不合格产品的管控程序、产品失效分析程序等一系列制度规则，旨在高效率、高质量地应对不同客户的服务需求。公司将客户服务理念贯穿到产品研发至售后的各个环节，在内部形成一个良好的处理闭环，持续提升品质管控体系，推动公司产品不断精益求精。

　　公司持续重视人才队伍建设和储备，不断加强人才培养机制，除了持续引入具有国际视野的、有丰富行业经验和管理经验的中高层人员外，也通过各种培养项目锻造执行团队，培养梯队人才。公司持续优化绩效评估机制和职位晋升机制，建立合理有效的激励机制，激发人才的创新思维和主观能动性，提高人才的自我认同感，保证公司人才团队的稳定健康发展。

　　在企业文化建设方面，公司精心策划并举办了丰富多彩的家庭日、团队建设日等，旨在深化员工间的情感纽带，提升团队凝聚力。报告期内，公司实施了2023年限制性股票激励计划，极大激发了员工积极性和活力，增强了公司凝聚力，助力公司持续健康发展。

　　公司严格按照《公司法》《证券法》《上海证券交易所科创板股票上市规则》等相关法律、法规、规章和规则及《公司章程》《信息披露制度》的要求，认真履行信息披露义务，保证信息披露的真实、准确、完整，进一步提升公司规范运作水平和透明度。建立健全各项内部控制制度，提升内部审计监督职能，逐步推进信息披露、募集资金管理等各项工作的规范化，促进公司规范运作、科学决策，推动公司各项业务顺利有序地开展。

　　公司通过上市公司公告、业绩说明会、投资者交流会、上证E互动平台、电话会议、电子邮件等多种渠道，全方位、多角度地保持公司的高运营透明度，保障广大投资者和市场参与者能够全面了解公司经营状况和发展动态。

　　公司践行“以投资者为本”的上市公司发展理念，积极通过分红、回购等方式维护广大投资者利益，增强投资者对公司的投资信心。

　　公司是目前中国少数能够同时提供NANDFash、NORFash、DRAM等存储芯片完整解决方案的公司，产品广泛应用于网络通信、监控安防、消费类电子、工业与医疗等领域。公司致力于用独立自主的知识产权、稳定的供应链体系和高可靠性的产品为客户提供高品质的存储产品及服务。公司设计研发的1xnmNANDFash、48nmNORFash均为我国领先的闪存芯片工艺制程，实现了国内闪存芯片的技术突破。

　　存储芯片通过对存储介质进行电子或电荷的充放电标记不同的存储状态实现数据存储，根据断电后存储的信息是否留存分为易失性存储芯片与非易失性存储芯片。公司的主要产品为非易失性存储芯片NANDFash、NORFash，易失性存储芯片DRAM以及衍生产品MCP：

　　NANDFash即数据型闪存芯片，分为两大类：大容量NANDFash主要为MLC、TLCNANDFash或3DNANDFash，擦写次数从几百次至数千次，多应用于大容量数据存储；小容量NANDFash主要是SLCNANDFash，可靠性更高，擦写次数达到数万次以上。公司的NAND产品种类丰富，功耗低，具备高可靠性，在通讯设备、安防监控、可穿戴设备和移动终端等多个领域得到广泛应用。产品已通过联发科、瑞芯微603893）、中兴微、博通等主流平台厂商的验证认可，主要应用于5G通讯、企业级网关、网络智能监控、数字录像机、数字机顶盒以及智能手环等终端产品。

　　公司聚焦平面型SLCNANDFash的设计与研发，主要产品采用浮栅型工艺结构，存储容量覆盖512Mb至32Gb，可灵活选择SPI或PPI类型接口，搭配3.3V/1.8V两种电压，可满足客户在不同应用领域及应用场景的需求。公司NANDFash产品核心技术优势明显，尤其是SPINANDFash，公司采用了业内领先的单颗集成技术，将存储阵列、ECC模块与接口模块统一集成在同一芯片内，有效节约了芯片面积，降低了产品成本，提高了公司产品的市场竞争力。公司产品在耐久性、数据保持特性等方面表现稳定，不仅在工业温控标准下单颗芯片擦写次数已经超过10万次，同时可在-40℃-105℃的极端环境下保持数据有效性长达10年，产品可靠性已逐步从工业级标准向车规级标准迈进。

　　NORFash即代码型闪存芯片，主要用来存储代码及少量数据。其存储阵列是各存储单元通过并联方式连接组成，在实现按位快速随机读取数据的同时，允许系统直接从存储单元中读取代码执行，因此具有芯片内执行、读取速度快等特点，通常被用于存储相关数据和代码程序，来满足快速启动应用系统的需求。

　　公司专注于设计大容量、低功耗、ETOX工艺的SPINORFash，自主设计的SPINORFash存储容量覆盖64Mb至1Gb，并支持多种数据传输模式，普遍应用于可穿戴设备、移动终端等领域。

　　DRAM是市场上主要的易失性存储产品之一，通过利用电容内存储电荷的有无来代表二进制比特（bit）来实现数据存储。DRAM具有读写速度快的特点，常被用于系统硬件的运行内存，对系统中的指令和数据进行处理。

　　公司研发的DDR3(L)系列是可以传输双倍数据流的DRAM产品，具有高带宽、低延时等特点，在通讯设备、移动终端等领域应用广泛；公司针对移动互联网和物联网的低功耗需求，自主研发的LPDDR1/2/4X系列产品具有低功耗和高传输速度等特点，最大时钟频率可达2133MHz，适用于智能终端、可穿戴设备等产品。

　　MCP产品是将非易失性代码型闪存芯片通常与易失性存储芯片搭配使用，以共同实现存储与数据处理功能。

　　公司的NANDMCP产品集成了自主研发的低功耗1.8vSLCNANDFash闪存芯片与低功耗设计的DRAM，凭借设计优势已在紫光展锐、高通、联发科等平台通过认证，被广泛应用于功能手机、MIFI、通讯模块等产品。其中，DDR规格包括LPDDR1、LPDDR2和LPDDR4x，为用户提供更加灵活和丰富的选择。MCP通过将低功耗DRAM和基于NAND的技术优化结合在一起简化了走线设计，节省了组装空间，高效地集成了电路，提高了产品的稳定性。客户在使用NANDMCP产品时可以减小PCB的布板空间,降低整体系统成本，提高整体集成度和可靠性，适用于PCB布板空间狭小的应用。

　　公司拥有自主完整的知识产权，能根据客户需求定制其所需要的存储芯片定制化的设计服务和整体解决方案，帮助客户降低产品开发时间和成。