也不完全相同，比如MOSFET通常驱动电压为12V；IGBT驱动电压达到15V，SiC MOSFET驱动电压15~18V，需要负压关断；GaN根据电压等级和器件本身结构驱动电压不相同，200V以下器件用有6V，200V以上Cascode结构器件用15V。应用中，采用双脉冲实验测试开关管的动态性能，根据需求设计驱动电路和选择

　　单管变换器只需要采用单通道驱动器即可，半桥驱动可以采用双通道驱动、自举驱动或推挽驱动等。先前在自学驱动电路时找到了一篇讲述各种驱动电路设计的文章《高速MOSFET门极驱动电路设计与应用指南》，文章中详细地讲述了各种形式驱动电路的原理和设计方法，需要资料的朋友可以文末“阅读原文”中获取。

　　下面讲述一下自己在设计DAB变换器时对驱动电路的考虑，DAB变换器由变压器原副边两个全桥电路和磁性器件组成，两个全桥结构共有8只开关管，设计中为了简化驱动电路和提高驱动的可靠性，选择了隔离式双通道驱动器NSI6602。

　　之前做驱动和选择器件时，查阅国际大厂UCC系列驱动，由于大环境影响，在价格和缺货的双重影响下，最终选择了国产器件替代，找到了上述这款与UCC系列隔离双通道器件引脚功能对应的器件，在搭建变换器的过程中，该器件发挥了很大的作用，驱动稳定可靠（没有进行详细的动态分析）。

　　该器件采用电容隔离方案，是一款高可靠性的隔离式双通道栅极驱动IC，可以设计为驱动高达2MHz开关频率的功率晶体管。每个输出可以以快速的25ns传播延迟和5ns的最大延迟匹配来提供最大4A/6A的拉灌电流能力。